[发明专利]半导体装置及偏压产生电路有效
| 申请号： | 200780052415.1 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101641777A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 田中基之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;李 伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具有能够输入第1电源电压的第1电源电压输入部(VDD)、能够输入第2电源电压的第2电源电压输入部(VDD2)、基于第2电源电压产生反偏压电压的调整电路(11)、和能够将由该调整电路(11)产生的反偏压电压作为输出电压输出的输出部(VBP1)，由此，能够以低功耗来产生基板偏压，并且，能够使电路规模缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 偏压 产生 电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有利用第1电源电压能够动作的第1动作部、和利用与上述第1电源电压不同的第2电源电压进行动作的第2动作部，其中，具有偏压产生电路，该偏压产生电路具有：能够输入上述第1电源电压的第1电源电压输入部、能够输入上述第2电源电压的第2电源电压输入部、基于上述第2电源电压产生该反偏压电压的调整电路、能够将由该调整电路产生的该反偏压电压作为输出电压输出的输出部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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