[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200780052448.6 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101641779A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 田边亮 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/822;H01L21/8244;H01L27/04;H01L27/08;H01L27/092;H01L27/11;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 浦柏明;徐 恕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供半导体器件及其制造方法。在俯视观察的情况下，n沟道MOS晶体管在第二方向上与膨胀膜(11)相邻。因此，n沟道MOS晶体管从膨胀膜(11)受到使沟道长度变长的方向的正应力。其结果，使n沟道MOS晶体管的沟道产生向电子的移动方向的正拉伸应变。另一方面，在俯视观察的情况下，p沟道MOS晶体管在第二方向上与膨胀膜(11)相互错开。因此，p沟道MOS晶体管从膨胀膜(11)受到使沟道长度变短的方向的正应力。其结果，使p沟道MOS晶体管的沟道产生向空穴的移动方向的正压缩应变。因此，能够同时提高n沟道MOS晶体管以及p沟道MOS晶体管的通态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底；n沟道MOS晶体管，其形成在所述半导体衬底上；p沟道MOS晶体管，其形成在所述半导体衬底上；应力施加膜，其使所述n沟道MOS晶体管的沟道产生朝向电子的移动方向的正拉伸应变，使所述p沟道MOS晶体管的沟道产生朝向空穴的移动方向的正压缩应变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
