[发明专利]超低温烧成的X7R和BX介电陶瓷组合物及制备方法有效
申请号: | 200780052848.7 | 申请日: | 2007-11-27 |
公开(公告)号: | CN101663253A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 小沃尔特·J.·赛姆斯;麦克·S.·h.·舒 | 申请(专利权)人: | 费罗公司 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;H01G4/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁文蕴 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 根据本发明制备多层陶瓷片式电容器,该电容器满足X7R和BX要求,并且与银-钯内电极兼容。该电容器表现出所想要的介电性能(高电容、低损耗因子、高绝缘电阻)、高加速寿命测试时的优异性能、以及非常优良的抗介电击穿性能。介电层包含无铅无镉的钛酸钡基材料,其掺杂有其它的金属氧化物如锌、硼、铋、铈、钨、铜、锰、钕、铌、银、钡、硅和镍的氧化物,它们可以进行各种组合。在不超过10000C下,可以将本文的介电陶瓷材料与包含大于80重量%的银和小于20重量%的钯的内电极烧结到一起(烧成),以形成多层陶瓷电容器。 | ||
搜索关键词: | 超低温 烧成 x7r bx 陶瓷 组合 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造多层陶瓷电容器的无铅无镉陶瓷介电组合物,包含:a.约85-约98重量%的BaTiO3,b.约0.3-约2.5重量%的ZnO,c.约0.05-约1重量%的B2O3,d.约1-约8重量%的Bi2O3,e.约0.05-约1.5重量%的CeO2,f.约0.01-约2重量%的WO3,g.约0.01-约0.5重量%的CuO,以及h.约0.01-约0.5重量%的MnO。
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