[发明专利]楔块式单向离合器无效

专利信息
申请号: 200780053720.2 申请日: 2007-07-10
公开(公告)号: CN101688571A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 铃木志佳;河合勉 申请(专利权)人: NSK沃纳株式会社
主分类号: F16D41/07 分类号: F16D41/07
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 朱德强
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种楔块式单向离合器(10),其包括:外座圈和内座圈(1,2),所述外座圈和内座圈沿着径向方向相互间隔开并且同心地布置以允许在其之间的相对旋转,外座圈具有内周边轨道表面(11),并且内座圈布置在外座圈内且具有环形外周边轨道表面(12);多个楔块(3),所述多个楔块布置在外座圈和内座圈之间并且能够在外座圈的内周边轨道表面与内座圈的外周边轨道表面之间传递转矩;保持架(45),其用于保持楔块;以及弹簧(6),其用于偏压楔块,并且其中,在楔块的初始接合高度(H0)处的撑角(α)小于2°。
搜索关键词: 楔块式 单向 离合器
【主权项】:
1.一种楔块式单向离合器,其包括:外座圈和内座圈,所述外座圈和内座圈沿着径向方向相互间隔开并且同心地布置以允许在所述外座圈和内座圈之间的相对旋转,所述外座圈具有内周边轨道表面,所述内座圈布置在所述外座圈内并且具有环形外周边轨道表面;多个楔块,所述多个楔块布置在所述外座圈和所述内座圈之间并且能够在所述外座圈的所述内周边轨道表面与所述内座圈的所述外周边轨道表面之间传递转矩;保持架,其用于保持所述楔决;以及弹簧,其用于偏压所述楔块;并且其中在所述楔块的初始接合高度处的撑角小于2°。
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