[发明专利]介质阻挡放电气体的生成装置有效
申请号: | 200780100341.4 | 申请日: | 2007-08-31 |
公开(公告)号: | CN101765902A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 田畑要一郎;渡边谦资 | 申请(专利权)人: | 东芝三菱电机产业系统株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/503 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;胡烨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能以高密度且高效率导出高能量的游离基气体、并提供给被处理物质的介质阻挡放电气体的生成装置。为此,将平板状的第一电极与第二电极配置在相对位置,在两个电极间配置介质。另外,在第一电极与介质之间设置放电空间部,在第一电极与介质的间隙内,形成三方被气体密封、且剩余一方在第一电极及介质的各端面侧开口的放电空间部。再有,包括冷却至少第一电极的冷却部、以及向上述放电空间部提供原料气体的气体提供部。然后,向第一电极及第二电极施加交流电压,在放电空间部产生介质阻挡放电。 | ||
搜索关键词: | 介质 阻挡 放电 气体 生成 装置 | ||
【主权项】:
一种介质阻挡放电气体的生成装置,其特征在于,包括:平板状的第一电极;平板状的第二电极,所述第二电极的一面相对于所述第一电极的一面配置在相对位置;介质,所述介质设置在所述第一电极与所述第二电极之间,该介质的一面相对于所述第一电极的所述一面具有预定的微小间隙而相对;冷却部,所述冷却部冷却所述第一电极的所述一面;放电空间形成部,所述放电空间形成部设置在所述第一电极与所述介质之间,在被所述第一电极的所述一面和所述介质的所述一面夹着的所述间隙内,形成三方被气体密封、且剩余一方在所述第一电极和所述介质的各端面侧开口的放电空间部;气体提供部,所述气体提供部向所述放电空间部提供原料气体;以及交流电源,所述交流电源向所述第一电极及所述第二电极施加交流电压,使得在所述放电空间部产生介质阻挡放电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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