[发明专利]多组件牺牲结构无效
| 申请号： | 200780100824.4 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101808933A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 卢西奥·弗洛雷斯;利奥尔·科格特;颜小明;黄圣棕;杨家伟;苏怡帆;坦·义·涂;罗棋;布莱恩·詹姆斯·加利;达娜·蔡斯;徐刚 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供包括牺牲结构的MEMS，所述牺牲结构包括较快蚀刻部分及较慢蚀刻部分，当通过蚀刻掉所述牺牲结构而在所述MEMS中形成腔时，所述MEMS展现对结构特征降低的损害。差异蚀刻速率以机械方式使结构层去耦，因此降低蚀刻工艺期间装置中的应力。本发明还提供方法及系统。 | ||
| 搜索关键词： | 组件 牺牲 结构 | ||
【主权项】：
一种包括微机电系统装置的设备，其中所述微机械系统装置包括：牺牲结构，其形成于第一结构层上；以及第二结构层，其形成于所述牺牲结构上，其中所述第二结构层包括延伸穿过所述第二结构层的多个蚀刻剂入口，所述牺牲结构包括邻近所述第一结构层的第一部分及远离所述第一结构层的第二部分，所述第一部分及所述第二部分中的一者可在存在所述第一部分及所述第二部分中的另一者的情况下选择性地蚀刻，且所述牺牲结构可在存在所述第一结构层及所述第二结构层的情况下选择性地蚀刻。
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