[发明专利]真空薄膜形成设备无效
| 申请号： | 200780100963.7 | 申请日： | 2007-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN101821423A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 永峰佳纪;中村贯人;恒川孝二 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;陈立航 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了始终将基板上的自偏压自动地调整为固定值并以良好的工艺再现性形成高质量的绝缘膜，根据本发明的真空薄膜形成设备包括：高频溅射装置，其包括：室；排气部件，其对所述室的内部进行排气；气体导入部件，其将气体供给至所述室中；基板座，其设置在所述室内；以及电极，其设置在所述基板座内；以及至少一个真空处理室，其能够从由物理气相沉积(PVD)室、化学气相沉积(CVD)室、物理蚀刻室、化学蚀刻室、基板加热室、基板冷却室、氧化处理室、还原处理室和灰化室构成的组中选择，其中，所述高频溅射装置还包括电连接至所述电极以调整所述基板座上的基板的电位的可变阻抗机构。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 薄膜 形成 设备 | ||
【主权项】：
一种真空薄膜形成设备，包括：高频溅射装置，其包括：室；排气部件，其对所述室的内部进行排气；气体导入部件，其将气体供给至所述室中；基板座，其设置在所述室内；以及电极，其设置在所述基板座内；以及至少一个真空处理室，其能够从由物理气相沉积(PVD)室、化学气相沉积(CVD)室、物理蚀刻室、化学蚀刻室、基板加热室、基板冷却室、氧化处理室、还原处理室和灰化室构成的组中选择，其中，所述高频溅射装置还包括电连接至所述电极以调整所述基板座上的基板的电位的可变阻抗机构。
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