[发明专利]固态摄像组件有效

专利信息
申请号: 200780101514.4 申请日: 2007-09-12
公开(公告)号: CN101855725A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 舛冈富士雄;中村广记 申请(专利权)人: 日本优尼山帝斯电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 郑小军;冯志云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种像素集成密度高的CMOS图像传感器。固态摄像组件于Si衬底上形成信号线(256),并于信号线上形成岛状半导体。岛状半导体具备有:第一半导体层(252),连接于信号线;第二半导体层(251),邻接于第一半导体层的上侧;栅极(253),隔着绝缘膜连接于第二半导体层;电荷蓄积部,连接于第二半导体层,并由受光时电荷量会产生变化的第三半导体层(254)所构成;以及第四半导体层(250),邻接于第二半导体层与所述第三半导体层的上侧。并且形成有用以连接岛状半导体上部的所述第四半导体层的像素选择线(255)。
搜索关键词: 固态 摄像 组件
【主权项】:
一种固态摄像组件,其特征在于,于硅衬底上形成信号线,于所述信号线上形成岛状半导体;所述岛状半导体具备有:第一半导体层,设于所述岛状半导体下部而连接于所述信号线;第二半导体层,邻接于所述第一半导体层的上侧;栅极,隔着绝缘膜连接于所述第二半导体层;电荷蓄积部,连接于所述第二半导体层,并由受光时电荷量会产生变化的第三半导体层所构成;以及第四半导体层,邻接于所述第二半导体层与所述第三半导体层的上侧;并且,形成连接于所述岛状半导体上部的所述第四半导体层的像素选择线。
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