[发明专利]固态摄像组件有效
申请号: | 200780101514.4 | 申请日: | 2007-09-12 |
公开(公告)号: | CN101855725A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 舛冈富士雄;中村广记 | 申请(专利权)人: | 日本优尼山帝斯电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种像素集成密度高的CMOS图像传感器。固态摄像组件于Si衬底上形成信号线(256),并于信号线上形成岛状半导体。岛状半导体具备有:第一半导体层(252),连接于信号线;第二半导体层(251),邻接于第一半导体层的上侧;栅极(253),隔着绝缘膜连接于第二半导体层;电荷蓄积部,连接于第二半导体层,并由受光时电荷量会产生变化的第三半导体层(254)所构成;以及第四半导体层(250),邻接于第二半导体层与所述第三半导体层的上侧。并且形成有用以连接岛状半导体上部的所述第四半导体层的像素选择线(255)。 | ||
搜索关键词: | 固态 摄像 组件 | ||
【主权项】:
一种固态摄像组件,其特征在于,于硅衬底上形成信号线,于所述信号线上形成岛状半导体;所述岛状半导体具备有:第一半导体层,设于所述岛状半导体下部而连接于所述信号线;第二半导体层,邻接于所述第一半导体层的上侧;栅极,隔着绝缘膜连接于所述第二半导体层;电荷蓄积部,连接于所述第二半导体层,并由受光时电荷量会产生变化的第三半导体层所构成;以及第四半导体层,邻接于所述第二半导体层与所述第三半导体层的上侧;并且,形成连接于所述岛状半导体上部的所述第四半导体层的像素选择线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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