[发明专利]电源

摘要

开关电源(100)包括没有任何附加晶体管地既提供自激振荡又提供过电流保护的单个功率开关金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(Q1)。包括在MOSFET的正反馈路径中的变压器(Tr1)具有带抽头(中间端103)自耦变压器绕组。MOSFET的源极端(102)经由限流电阻器(R2)与带抽头自耦变压器(Tr1)的第一(n1)和第二(n2)绕组之间的接合端耦合。第一绕组形成变压器的初级绕组，而第二绕组与MOSFET的栅极端耦合形成再生反馈路径。第二绕组与栅极端直流(DC)耦合，以避免在正反馈路径中需要任何分立电容器。

主权项

一种电源，包含：输入供电电压源；与负载耦合以便对所述负载供电的变压器；开关、功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，具有与所述变压器耦合的源极端；并具有与所述输入供电电压源耦合的漏极端，用于产生将磁能储存在所述变压器中的斜坡电流，以及用于在所述MOSFET的所述源极端上形成电压，当所述MOSFET导电时，在所述MOSFET的转换周期的第一部分期间，以再生反馈方式，通过自耦变压行为，经由所述变压器将所述源极端的电压耦合到所述MOSFET的栅极端；和电流取样电阻器，耦合在所述斜坡电流的电流路径中，用于在所述电阻器中形成斜坡负反馈电压，依照所述电阻器电压降低所述MOSFET的导电性，直到达到所述MOSFET的截止阈值电压，以便当达到所述MOSFET的所述截止阈值电压时，所述源极端电压以负反馈方式变化，直到所述MOSFET在所述周期的第一部分结束时变成不导电，所述MOSFET保持不导电，直到在所述转换周期的随后第二部分结束时，所述储存磁能产生的振荡谐振电压使所述MOSFET再次导电。