[发明专利]衬底和半导体器件无效
| 申请号： | 200780101777.5 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101884256A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 伊藤哲平;川口均;田中宏之 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴小瑛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 衬底(3)包括内建层，在该内建层中含有树脂的绝缘层和导体互连层(312)交替层叠，并且导体互连层(312)通过形成在绝缘层的通孔中的导体层而彼此连接。在导体互连层(312)之中，安置在衬底的最外表面一侧的导体互连层(312D)具有形成在信号线安置区(A)中并且沿预定方向延伸的多条信号线(312D1)。当αsig-x表示实质上平行于具有信号线(312D1)的信号线安置区(A)中的信号线(312D1)的方向的，由激光散斑法测定的热膨胀系数，并且αsig-y表示实质上垂直于信号线的方向的，由激光散斑法确定的热膨胀系数时，由下面公式表达的热膨胀系数在信号线方向中的相关率是25或更小。热膨胀系数在信号线方向中的相关率＝(|αsig-y-αsig-x|/αsig-x)×100。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种衬底，包括内建层，在该内建层中含有树脂的绝缘层和导体互连层交替层叠，并且所述导体互连层通过形成在所述绝缘层中的通孔内的导体层而彼此连接；其中在所述导体互连层之中，形成在所述衬底的最外表面一侧的导体互连层包括实质上彼此平行延伸的多条信号线；以及当αsig-x表示在实质上平行于具有多条信号线的信号线安置区中的信号线的方向由激光散斑法测定的热膨胀系数，并且αsig-y表示实质上垂直于所述信号线的方向由该激光散斑法测定的热膨胀系数时，由下面公式表达的热膨胀系数在信号线方向的相关率是25或更小；热膨胀系数在信号线方向的相关率＝(|αsig-y-αsig-x|/αsig-x)×100。
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