[发明专利]表面处理设备和表面处理方法

摘要

本发明提供一种表面处理设备，其中，尽管经由导入孔向处理室供给在等离子体生成室中生成的HF衍生自由基并且在自由基导入孔附近供给作为处理气体的HF气体分子、从而抑制激发能量并由此提高Si的选择性以去除自然氧化膜的干法处理，但可以实现能够实现与要求高温处理的湿法清洗等同的良好表面平坦性的表面处理，并且可以在表面处理后的基板上生长Si单晶膜。在Si单晶膜形成之后的基板的表面上，氧和碳等的杂质的量少。在Si单晶膜生长表面上溅射Hf等，之后进行氧化和硝化以形成HfO绝缘膜等的介电绝缘膜。然后形成金属电极膜。在未使基板暴露至空气的情况下执行这些步骤，界面上的杂质吸附被抑制，并且可以提供滞后小的C-V曲线。因此，在MOS-FET中，可以实现良好的器件特性。

主权项

一种基板清洗方法，包括以下步骤：将基板放置在处理室中；将等离子体形成气体变为等离子体；经由等离子体分离用的等离子体约束电极板的自由基通过孔，向所述处理室导入等离子体中的自由基；向所述处理室导入处理气体，以使所述处理气体与所述自由基在所述处理室内混合；以及利用所述自由基和所述处理气体的混合气氛，清洗所述基板的表面。