[发明专利]使用宽带反射测定法的工艺终点检测方法有效
申请号: | 200810000091.3 | 申请日: | 2003-08-12 |
公开(公告)号: | CN101221917A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 维贾雅库马尔·C·韦努戈帕尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/06 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;尚志峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了一种使用宽带反射测定法的工艺终点检测方法,用于在图样化衬底的加工过程中确定图样化衬底的一部分中的结构的垂直尺寸,该方法包括:获得测量的净反射光谱,测量的净反射光谱由具有宽带光谱的光束至少照射图样化衬底的一部分产生;计算作为不同区域的反射率的加权非相干和的建模的净反射光谱,不同区域构成图样化衬底的一部分;对于宽带光谱中小于所选择的转换波长的波长,使用第一光学模型计算每个区域的反射率,将反射率作为薄膜叠层的反射场的加权相干和,薄膜叠层对应于构成区域的横向不同区;确定用于提供测量的净反射光谱和建模的净反射光谱之间的紧密匹配的一组参数;以及从一组参数提取图样化衬底的一部分中的结构的垂直尺寸。 | ||
搜索关键词: | 使用 宽带 反射 测定法 工艺 终点 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在图样化衬底的加工过程中确定所述图样化衬底的一部分中的结构的垂直尺寸的方法,所述方法包括:获得测量的净反射光谱,所述测量的净反射光谱由具有宽带光谱的光束至少照射所述图样化衬底的所述一部分产生;计算作为不同区域的反射率的加权非相干和的建模的净反射光谱,所述不同区域构成所述图样化衬底的所述一部分;对于所述宽带光谱中小于所选择的转换波长的波长,使用第一光学模型计算每个区域的所述反射率,将所述反射率作为薄膜叠层的反射场的加权相干和,所述薄膜叠层对应于构成所述区域的横向不同区;确定用于提供所述测量的净反射光谱和所述建模的净反射光谱之间的紧密匹配的一组参数;以及从所述一组参数提取所述图样化衬底的所述一部分中的所述结构的所述垂直尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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