[发明专利]薄膜半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810000259.0 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101236900A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 国井正文 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜半导体装置的制造方法，该方法包括：第一步骤，在基板上形成栅电极；第二步骤，以覆盖栅电极的方式，在基板上形成氮氧化硅的栅极绝缘膜；第三步骤，在栅极绝缘膜上形成半导体薄膜；以及第四步骤，在含氧的氧化性气氛中进行热处理，从而通过使氧与构成栅极绝缘膜的氮氧化硅膜中的缺氧部分相结合来进行改性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜半导体装置的制造方法，包括：第一步骤，在基板上形成栅电极；第二步骤，以覆盖所述栅电极的方式，在所述基板上形成氮氧化硅的栅极绝缘膜；第三步骤，在所述栅极绝缘膜上形成半导体薄膜；以及第四步骤，在含氧的氧化性气氛中执行热处理，从而通过使氧与构成所述栅极绝缘膜的氮氧化硅膜中的缺氧部分相结合来进行改性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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