[发明专利]静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺无效
申请号: | 200810000646.4 | 申请日: | 2008-01-11 |
公开(公告)号: | CN101483137A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 李海蓉;李思渊;刘肃;王永顺;唐莹;李海霞 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L21/205 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 | 代理人: | 夏晏平 |
地址: | 730000甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明为静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺,涉及静电感应器件制造技术。由于反型杂质的高精度补偿工艺复杂,补偿度难于控制,本发明通过在扩磷工序中用三氯氧磷对硅片进行染磷,同时通过对外延工艺条件的控制,采用SiCl4氢还原法,在1180-1185℃下,SiCl4源温控制在15-20℃,外延生长速率控制在0.5-0.8μm/min达到反型杂质的高精度补偿。本发明具有工艺简单,反型杂质能够高精度补偿且补偿度易于控制,适于工业化生产的有益效果。 | ||
搜索关键词: | 静电感应 器件 制造 中的 技术 匹配 外延 工艺 | ||
【主权项】:
1、静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺,其特征为静电感应器件制造中的染磷工艺为:在900—1000℃下,用N2和O2的混合气体通入管道,然后通三氯氧磷进行染磷,关三氯氧磷源后继续用N2和O2的混合气体通入管道,取出硅片,硅片不去除磷—硅玻璃直接送入氧化炉中湿氧氧化,即得符合规格的染磷硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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