[发明专利]静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺无效

专利信息
申请号: 200810000646.4 申请日: 2008-01-11
公开(公告)号: CN101483137A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 李海蓉;李思渊;刘肃;王永顺;唐莹;李海霞 申请(专利权)人: 兰州大学
主分类号: H01L21/223 分类号: H01L21/223;H01L21/205
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司 代理人: 夏晏平
地址: 730000甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明为静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺,涉及静电感应器件制造技术。由于反型杂质的高精度补偿工艺复杂,补偿度难于控制,本发明通过在扩磷工序中用三氯氧磷对硅片进行染磷,同时通过对外延工艺条件的控制,采用SiCl4氢还原法,在1180-1185℃下,SiCl4源温控制在15-20℃,外延生长速率控制在0.5-0.8μm/min达到反型杂质的高精度补偿。本发明具有工艺简单,反型杂质能够高精度补偿且补偿度易于控制,适于工业化生产的有益效果。
搜索关键词: 静电感应 器件 制造 中的 技术 匹配 外延 工艺
【主权项】:
1、静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺,其特征为静电感应器件制造中的染磷工艺为:在900—1000℃下,用N2和O2的混合气体通入管道,然后通三氯氧磷进行染磷,关三氯氧磷源后继续用N2和O2的混合气体通入管道,取出硅片,硅片不去除磷—硅玻璃直接送入氧化炉中湿氧氧化,即得符合规格的染磷硅片。
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