[发明专利]在半导体器件中形成硬掩模图案的方法无效

专利信息
申请号: 200810000711.3 申请日: 2008-01-14
公开(公告)号: CN101303971A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 金相民;郑宇荣;金最东 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L21/033 分类号: H01L21/033;H01L21/311
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 刘继富;顾晋伟
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 在半导体器件中形成硬掩模图案的方法中,蚀刻掩模的间距小于曝光设备的分辨率极限。所述方法包括通过利用光刻胶图案的曝光工艺形成第一硬掩模图案,在包括第一硬掩模图案的所得结构上形成分隔层,在第一硬掩模图案之间的间隔中形成第二硬掩模图案,和除去暴露的分隔层。
搜索关键词: 半导体器件 形成 硬掩模 图案 方法
【主权项】:
1.一种在半导体器件中形成硬掩模图案的方法,所述方法包括:在半导体衬底上形成待蚀刻层;在所述待蚀刻层上形成第一硬掩模图案;在包括所述第一硬掩模图案的所述待蚀刻层上形成分隔层;在所述第一硬掩模图案之间的间隔中形成硬掩模层;和除去形成在所述第一硬掩模图案的上表面和侧壁上的所述分隔层,以形成包括所述分隔层和所述硬掩模层的第二硬掩模图案。
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