[发明专利]宽禁带半导体纳米管/线阵列膜及其制备方法、一种光电极无效
| 申请号： | 200810000929.9 | 申请日： | 2008-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101393938A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 孙文涛;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01M4/02;H01M4/04 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高转换效率量子点敏化的宽禁带半导体纳米管/线阵列膜及其制备方法，以及采用这种宽禁带半导体纳米管/线阵列膜的光电极。本发明的宽禁带半导体纳米管/线阵列膜，包括宽禁带半导体纳米管/线阵列和导电基底，所述宽禁带半导体纳米管/线阵列中填充有窄禁带半导体量子点纳米颗粒。本发明采用阳极氧化法制备宽禁带半导体纳米管/线阵列膜；用化学沉积法制备窄带半导体量子点敏化的纳米管/线阵列膜。采用本发明这种宽禁带纳米管/线阵列膜的光电极应用于光电化学池中，光电转换效率得到很大提高。本发明可广泛应用于太阳能光电转换领域。 | ||
| 搜索关键词： | 宽禁带 半导体 纳米 阵列 及其 制备 方法 一种 电极 | ||
【主权项】：
1. 一种宽禁带半导体纳米管/线阵列膜，包括宽禁带半导体纳米管/线阵列和基底，其特征在于所述宽禁带半导体纳米管/线阵列中填充有窄禁带半导体量子点纳米颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
