[发明专利]制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品有效
| 申请号： | 200810000938.8 | 申请日： | 2008-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101307501A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | W·刘;M·S·扬;M·H·巴达维 | 申请（专利权）人： | AXT公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品，所述方法包含以下步骤：形成多晶镓基化合物；利用所述多晶镓基化合物进行垂直梯度凝固晶体生长，其中所述镓基晶体具有每平方厘米小于900的腐蚀坑密度。进一步地，本发明提供一种利用低腐蚀坑密度(EPD)晶体生长处理和晶片退火处理制造晶片的方法，通过其得到GaAs/InGaP晶片，从该等晶片中可获得较高的器件产量。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 腐蚀 密度 绝缘 砷化镓 晶片 方法 及其 产品 | ||
【主权项】：
1、一种制造具有低腐蚀坑密度(EPD)的镓基材料的方法，该方法包含以下步骤：形成多晶镓基化合物；和利用所述多晶镓基化合物进行垂直梯度凝固晶体生长，其中所述镓基晶体具有每平方厘米小于900的腐蚀坑密度。
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