[发明专利]用于包含各向异性半导体薄板的写一次存储器的二极管-和-熔丝存储元件无效

专利信息
申请号: 200810001288.9 申请日: 2003-03-31
公开(公告)号: CN101232039A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: C·M·佩尔洛夫;S·福雷斯特 申请(专利权)人: 惠普公司
主分类号: H01L27/28 分类号: H01L27/28;H01L27/102;H01L21/82;G11C17/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;刘春元
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了用于包含各向异性半导体薄板的写一次存储器的二极管-和-熔丝存储元件。交叉点二极管存储器的电子存储阵列(118)中采用的施予者/接受者-有机-结合薄板(606)。施予者/接受者-有机-结合薄板(606)关于电流的流动是各向异性的,而且在超过临界电流时物理上不稳定。因而,在二维存储阵列网格点上的行线(602)和列线(604)之间的施与者/接受者-有机-结合薄板(206)的volume充当二极管-熔丝存储元件的二极管部件(210)和熔丝部件(208)并与相邻网格点交叉之间的施予者/接受者-有机-结合薄板的相似volume在电子上绝缘。
搜索关键词: 用于 包含 各向异性 半导体 薄板 一次 存储器 二极管 存储 元件
【主权项】:
1.一种连续的二极管薄板(606),用在电子存储阵列中,它连接二维存储阵列中的行线(602)到列线(604),电子存储器阵列的每个交叉行列线网格点上的二极管薄板的体(206)用作二极管-熔丝存储元件(208、210),包括半导体-结合薄板的连续二极管薄板:正向偏压下在和二极管薄板垂直的方向上高电导率,但在反向偏压下有低电导率,由此构成一个二极管;行线和列线之间通过大于临界电流时行线和列线之间的体减小,由此充当熔丝;并且在与薄板平行的方向上阻挡电阻流过,以使电子存储器阵列的行列线网格点之间的二极管体与电子存储器阵列的其它行列线网格点之间的所有其它二极管薄板体在电子上相对隔离。
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