[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环和基座有效
| 申请号： | 200810001388.1 | 申请日： | 2004-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101303997A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 远藤升佐;岩渕纪之;加藤茂昭;大久保智也;广瀬润;长仓幸一;輿水地盐;传宝一树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/205;H01L21/3065;C23F4/00;C30B25/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 聚焦 基座 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括：一个基座，具有一个静电卡盘，在其上载置一个要进行等离子体处理的被处理体，和一个聚焦环，其具有一个与所述静电卡盘接触的接触部分；其特征在于，所述聚焦环具有一个形成所述接触部分的介电材料部分，和一个与所述静电卡盘面对并有所述介电材料部分存在于其间的导体材料部分。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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