[发明专利]用于初始化翻转切换的MRAM器件的参考单元的方法和装置有效
申请号: | 200810001518.1 | 申请日: | 2008-01-04 |
公开(公告)号: | CN101226768A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | M·C·H·拉莫雷;J·K·德布罗斯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;G11C11/16 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种确定在制造的存储器阵列中的参考单元的初始状态的方法,所述方法包括:通过比较通过所述参考单元的电流与流动通过数据单元对的平均电流来进行所述参考单元的第一读操作,并存储所述第一读操作的结果;反转所述数据单元对中的一个数据单元的值;进行所述参考单元的第二读操作,并存储所述第二读操作的结果;反转所述数据单元对中的另一个数据单元的值;进行所述参考单元的第三读操作,并存储所述第三读操作的结果。进行所述第一、第二以及第三操作的所述结果的择多比较操作,其中所述择多比较操作的结果为所述参考单元的所述初始状态。 | ||
搜索关键词: | 用于 初始化 翻转 切换 mram 器件 参考 单元 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种确定制造的存储器阵列中的参考单元的初始状态的方法,所述方法包括:通过比较通过所述参考单元的电流与流动通过数据单元对的平均电流来进行所述参考单元的第一读操作,并存储所述第一读操作的结果;反转所述数据单元对中的一个数据单元的值;进行所述参考单元的第二读操作,并存储所述第二读操作的结果;反转所述数据单元对中的另一个数据单元的值;进行所述参考单元的第三读操作,并存储所述第三读操作的结果;以及进行所述第一、第二以及第三操作的所述结果的择多比较操作;其中所述择多比较操作的结果为所述参考单元的所述初始状态。
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