[发明专利]存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200810001978.4 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101276880A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;林仲汉;马修·J.·布雷维什;阿里间德罗·G.·施罗特;埃里克·A.·约瑟夫;罗格·W.·齐克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 存储单元及制造存储单元的方法，其包括沉积于基片上的绝缘材料、形成于绝缘材料内的底电极、沉积于底电极上并且其中的至少一个充当中间绝缘层的多个绝缘层。通孔被限定于中间绝缘层上的绝缘层内。沟道与牺牲分隔件一起产生，用于刻蚀。孔被限定在中间绝缘层内。除去中间绝缘层上的所有绝缘层，用相变材料填充整个残留的孔。在相变材料上形成上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成存储单元的方法，该方法包括：在基片上方形成多个绝缘层；在绝缘层的至少一个内形成底电极；限定通过位于底电极上方的绝缘层中的至少一个的通孔，通孔与底电极通过至少一个中间绝缘层被分开；在中间绝缘层上方的通孔内形成牺牲分隔件，牺牲分隔件包括直径小于通孔直径的沟道；限定通过位于牺牲分隔件下方和底电极上方的中间绝缘层的孔，使得沟道通过中间绝缘层延续到底电极；除去牺牲分隔件；将相变材料沉积在该孔内，相变材料填充整个孔；以及在相变材料上方形成上电极。
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