[发明专利]产生模型的方法和装置

摘要

本发明涉及产生模型的方法和装置。在这里公开了一种产生代表在特定的制造环境中处于芯片、晶片或多晶片级的半导体器件的定制的集约模型的自动、快速并有效的方法。具体而言，从特定的制造环境收集测量数据并通过沟道长度分类所述测量数据。然后，使用优化器产生基于所述测量数据的定制的建模参数。优化处理是多步处理。第一，基于与长沟道长度相关的测量数据产生第一组建模参数。第二，基于所述第一组建模参数和与短沟道长度相关的测量数据产生第二组建模参数。最后，基于所述第一组和所述第二组建模参数产生所述定制的建模参数。使用所述定制的建模参数产生代表所述特定的制造环境的定制的集约器件模型。

主权项

1.一种产生模型的方法，所述方法包括以下步骤：接收用于器件的测量数据，其中从特定的制造环境收集所述测量数据以及所述测量数据包括至少两个不同的沟道长度和与所述至少两个不同的沟道长度相关的电流和电压测量；基于所述测量数据进行优化处理以产生用于所述器件的定制的建模参数；以及基于所述定制的建模参数产生模型，其中所述模型代表所述特定的制造环境。