[发明专利]一种超快闪烁晶体CuI及生长方法无效
| 申请号： | 200810002159.1 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101481820A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 潘建国;杨书颖;刘晓利;李月宝;张公军;李星;韩磊 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种碘化亚铜晶体的生长方法，属于光电子功能材料技术领域中的人工晶体和晶体生长领域，尤其是涉及一种作为超快闪烁晶体材料。该方法使用乙腈为生长溶剂，在高温高于40摄氏度以上，利用惰性气体保护，采用溶剂蒸发的方法生长晶体。生长设备简单、工艺易控制。所生长出的晶体晶形完整、缺陷少、尺寸较大。生长的晶体在高能物理、核医学成像等方面具有很重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪烁 晶体 cui 生长 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种碘化亚铜超快闪烁晶体，其特征在于：该晶体的分子式为CuI，属于γ相的立方晶系。分子量为：190.45
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