[发明专利]热处理腔中的晶圆支架的温度测量和控制无效
| 申请号： | 200810002374.1 | 申请日： | 2008-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101231941A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 亚伦·缪尔·亨特;布鲁斯·E·亚当斯;梅兰·贝德亚特;拉杰士·S·罗摩努亚姆;约瑟夫·M·拉内什 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于在快速热处理工艺中实现均匀加热衬底的装置和方法。更具体地，本发明提供一种用于在快速热处理工艺中控制支撑衬底的边缘环的温度的装置和方法，以改善整个衬底上的温度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 中的 支架 温度 测量 控制 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理衬底的腔，包括：一腔外壳，用于限定处理空间；设置在所述处理空间中的衬底支架；设置在所述衬底支架上的边缘环，所述边缘环配置用于在所述衬底的外围上支撑所述衬底；第一热源，用于加热所述衬底；和第二热源，用于加热所述边缘环，其中所述第二热源是独立于所述第一热源可控的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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