[发明专利]非易失性存储器的制造方法有效
| 申请号： | 200810002634.5 | 申请日： | 2008-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101246857A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 叶金瓒;罗智贤;苏金达;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法，至少包括步骤：(a)准备基材；(b)在基材上生长堆叠层；(c)将堆叠层图案化以形成多个独立的堆叠单元，堆叠单元其中任意二者之间具有开口；(d)在各堆叠单元两侧的基材内分别形成漏极区域与源极区域；(e)生长介电层在开口中于堆叠单元之上；(f)利用化学机械抛光工艺去除位于堆叠单元之上与开口之外的介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器的制造方法，至少包括步骤：准备基材；在该基材上生长堆叠层；将该堆叠层图案化以形成多个独立的堆叠单元，该堆叠单元其中任意二者之间具有开口；在各该堆叠单元两侧的该基材内分别形成漏极区域与源极区域；生长介电层在该开口中与该堆叠单元之上；以及利用化学机械抛光工艺去除位于该堆叠单元之上与该开口之外的该介电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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