[发明专利]非易失性存储器的制造方法有效
| 申请号： | 200810002644.9 | 申请日： | 2008-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101373711A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 王嗣裕;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/31;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法。该存储器包括方法：形成绝缘材料层于基板上；形成电荷储存材料层于该绝缘材料层上；形成多层隧穿介电材料于该电荷储存材料层上；形成栅极电极材料层于该多层隧穿介电材料上；以及蚀刻该绝缘材料层、该电荷储存材料层、该多层隧穿介电材料及该栅极电极材料层，以形成存储器结构。在该绝缘材料层形成前或形成后，进行等离子体氮化工艺，或者在含氮气体的环境中进行热氮化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器的制造方法，包括；(a)形成绝缘材料层于基板上；(b)形成电荷储存材料层于该绝缘材料层上；(c)形成多层隧穿介电材料于该电荷储存材料层上；(d)形成栅极电极材料层于该多层隧穿介电材料上；以及(e)蚀刻该绝缘材料层、该电荷储存材料层、该多层隧穿介电材料及该栅极电极材料层，以形成存储器结构，其中，在该绝缘材料层形成前或形成后，进行等离子体氮化工艺，或者在含氮气体的环境中进行热氮化工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810002644.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SSOI基板的制造方法
- 下一篇：主动制动器脉动控制
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
