[发明专利]固体摄像元件以及固体摄像装置无效
| 申请号： | 200810002890.4 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101221969A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 饭田义典;舟木英之;本多浩大;藤原郁夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N9/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种像素尺寸的微细化容易、且具有高灵敏度及低噪声的背面照射型单片彩色固体摄像元件。其包括：半导体基板；像素区域部，通过将像素以矩阵状配置于所述半导体基板上而形成；读取单元，从所述像素读取电信号；和滤色器阵列，设置于所述像素区域部的入射光侧，通过将对应于多个所述像素的单位块重复配置而形成；所述像素区域部包括：光电变换部，在所述半导体基板中设置于所述入射面侧；传输晶体管，对每个所述光电变换部设置；和像素读取电路，在所述半导体基板中配置于与所述入射面相反的一面侧；所述像素读取电路选择性地被配置在由共有所述像素读取电路的多个所述像素构成的读取块中的一部分像素上。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 元件 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄像元件，其特征在于，包括：半导体基板；像素区域部，通过将像素以矩阵状配置于所述半导体基板上而形成；读取单元，从所述像素读取电信号；和滤色器阵列，设置于所述像素区域部的入射光侧，通过将对应于多个所述像素的单位块重复配置而形成；所述像素区域部包括：光电变换部，在所述半导体基板中设置于所述入射面侧；传输晶体管，对每个所述光电变换部设置；和像素读取电路，在所述半导体基板中配置于与所述入射面相反的一面侧；所述像素读取电路选择性地被配置在由共有所述像素读取电路的多个所述像素构成的读取块中的一部分像素上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810002890.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
