[发明专利]具有改进的裂纹防护的半导体晶片有效

专利信息
申请号: 200810003247.3 申请日: 2008-01-28
公开(公告)号: CN101236920A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 叶兴强;卢威耀;陈兰珠 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L27/02;H01L23/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种制造用于切片的半导体晶片的方法,包括提供半导体晶片,该晶片包括基片和位于基片上的形成单元片区域结构的多个上层。设置该结构目的是通过用于切片工具的路径将相邻的单元片区域分离开来。在每个路径内,制造一对被分隔开的线。每个线限定各自路径的一个切割边缘并且具有在晶片顶表面和基片之间延伸的至少一个沟槽。用应力吸收材料填充每个沟槽,用于在切片过程中降低单元片上由单元片工具诱发的应力。
搜索关键词: 具有 改进 裂纹 防护 半导体 晶片
【主权项】:
1.一种制造用于切片的半导体晶片的方法,该方法包括:提供半导体晶片,该半导体晶片包括基片和在其上形成单元片区域结构的多个上层,设置该结构使得通过用于切片工具的路径将相邻的单元片区域分开;在每个路径内制造一对被分隔开的线,每个线限定各自路径的切割边缘并且包括在晶片顶表面和基片之间延伸的至少一个沟槽;以及用应力吸收材料填充每个沟槽以在切片过程中降低单元片上由单元片工具诱发的应力。
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