[发明专利]具有高崩溃电压与高电阻值的半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810003312.2 | 申请日： | 2008-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101221988A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 蒋秋志;黄志丰 | 申请（专利权）人： | 崇贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/86 | 分类号： | H01L29/86;H01L27/04;H01L21/02;H01L21/329;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省台北县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有高崩溃电压与高电阻值的半导体结构及其制造方法，其半导体结构至少包括：一基板，为一第一传导类型；一深阱，为一第二传导类型，是形成于基板内并由基板的表面向下扩展；一对第一阱，为第一传导类型，是形成于基板内并由基板的表面向下扩展，且形成在深阱之内；一第二阱，为第二传导类型，是形成于基板的深阱内并由基板表面向下扩展，且第二阱形成在第一阱之间，第二阱的注入量是低于第一阱的注入量；一对第一掺杂区，为第一传导类型，是分别形成在第一阱之内由基板表面向下扩展。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 崩溃 电压 阻值 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，至少包括：一基板，为一第一传导类型；一深阱，为一第二传导类型，是形成于该基板内并由该基板的表面向下扩展；一对第一阱，为该第一传导类型，是形成于该基板内并由该基板的表面向下扩展，且形成在该深阱之内；一第二阱，为该第二传导类型，是形成于该基板的该深阱内并由该基板表面向下扩展，且该第二阱形成在该对第一阱之间，该第二阱的注入量是低于该第一阱的注入量；以及一对第一掺杂区，为该第一传导类型，是分别形成在该对第一阱之内由该基板表面向下扩展。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于崇贸科技股份有限公司，未经崇贸科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810003312.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：拨链器组件
- 下一篇：具有扩散阻挡结构的栅极二极管非易失性存储器
- 同类专利
- 专利分类
