[发明专利]薄膜晶体管基片、其转移法及显示器件有效
| 申请号： | 200810003335.3 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101217132A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 川村哲也;稲田克彦 | 申请（专利权）人： | 东芝松下显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种包括象素区的薄膜晶体管基片，其中栅极线排列在用基片夹着半导体图形和栅绝缘体的绝缘基片上，设置半导体图形和栅极线的形状使得薄膜晶体管基片安装在金属基座上时由下列等式得到的k的值小于第一设定值：k＝(L/Ce)×(Ca/(Ca+Cb))×S，其中，Ca表示在各半导体层图形和金属基座之间的电容，Cb表示在各半导体层图形和栅极线之间的电容，Ce表示在各栅极线和金属基座之间的电容，L表示各栅极线的长度，及S表示其中一条栅极线每单位长度充电的基片表面面积。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 转移 显示 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于在绝缘基片上排列有象素区和驱动电路区的薄膜晶体管基片的转移方法，所述象素区分别由包括薄膜晶体管的象素配置，且所述驱动电路区安装用于驱动薄膜晶体管的驱动电路，其中，设置在转移部件中的基片支撑部，在设在薄膜晶体管基片底侧和象素区外侧的支撑点处支撑着薄膜晶体管的同时转移薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
