[发明专利]有机发光显示器有效

专利信息
申请号: 200810003506.2 申请日: 2004-11-05
公开(公告)号: CN101221977A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 金茂显;宋明原;姜泰旻;李城宅;曹洧诚 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L23/522;H01L51/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种有机发光显示器,该有机发光显示器可以如下构成:TFT衬底,该TFT衬底包括绝缘衬底和具有至少一个源电极和一个漏电极的TFT;下电极,其形成在TFT衬底上并连接到源/漏电极其中之一;绝缘层,其具有暴露一部分下电极的开口;有机薄膜层,其形成在下电极的暴露部分和绝缘层上;以及上电极,其形成在有机薄膜层上,其中绝缘层在开口的边缘具有小于40°的锥角,并且在下电极与有机薄膜层之间形成小于或等于3000埃的台阶。所述有机发光显示器可以避免器件故障。
搜索关键词: 有机 发光 显示器
【主权项】:
1.一种有机发光显示器,包括:一TFT衬底,该TFT衬底包括一绝缘衬底,具有一源区和一漏区的一半导体层,具有暴露一部分所述源区和所述漏区的孔的一第一绝缘层以及具有经所述孔连接到所述源区的一源电极和连接到所述漏区的一漏电极的一薄膜晶体管;一下电极,其形成在所述第一绝缘层上并连接到所述源电极和所述漏电极之一;一第二绝缘层,其具有暴露所述下电极的第一部分的第一开口;一第三绝缘层,其具有暴露所述下电极的第二部分的第二开口,所述下电极的所述第二部分位于所述下电极的所述第一部分之内;一有机薄膜层,其形成在所述第三绝缘层和所述下电极的所述第二部分上;以及一上电极,其形成在所述有机薄膜层上,其中所述第三绝缘层在所述第二开口的边缘具有小于40°的锥角,并且在所述第二开口处的所述下电极的上表面与形成在所述第三绝缘层上的所述有机薄膜层的下表面之间的台阶高度小于或等于约3000埃。
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