[发明专利]用于形成了至少一个通孔的半导体结构的方法和设备

摘要

本发明涉及一种半导体结构，作为一个示范性实施例的半导体结构可以包括：具有一种导电类型的半导体衬底，其具有前表面和后表面，并包括至少一个穿过所述半导体衬底的通孔，其中，采用导电材料填充所述至少一个通孔；以及设置在所述半导体衬底的所述前表面或后表面的至少部分上的半导体层，其中，就一种或多种所选的掺杂剂而言，所述半导体层在其深度范围内是成分递变的，并且将所述导电材料配置为将所述半导体层电连接至设置在所述衬底的表面上或者上方的至少一个正面接触。

主权项

1.一种半导体结构(100)，包括：(a)具有一导电类型的半导体衬底(120)，其具有前表面(124)和后表面(132)，并包括至少一个穿过所述半导体衬底(120)的通孔(110)，其中，采用导电材料(118)填充所述至少一个通孔(110)；以及(b)设置在所述半导体衬底(120)的所述前表面或后表面(124或132)的至少部分(136)上的半导体层(200)，其中，就一种或多种所选的掺杂剂而言，所述半导体层(200)在其深度范围内是成分递变的，并且将所述导电材料(118)配置为将所述半导体层(200)电连接至设置在所述衬底(120)的表面(132)上或者上方的至少一个接触(270)。