[发明专利]存储元件和存储器有效
| 申请号： | 200810004149.1 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101226769A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 山根一阳;五十岚实;细见政功;大森广之;山元哲也;肥后丰;大石雄纪;鹿野博司 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，该存储元件包括：用于根据磁性材料的磁化状态来保存信息的存储层；以及磁化方向固定的磁化固定层，其中，通过非磁性层相对于存储层来放置磁化固定层。通过沿层压方向施加电流来改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中。在磁化固定层中或在磁化固定层与存储层相对的相对侧上形成分别具有沿层压方向的磁化分量和具有沿互不相同方向的磁化的多个磁化区域。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储元件，包括：存储层，用于根据磁性材料的磁化状态来保存信息；以及磁化方向固定的磁化固定层，其中，所述磁化固定层通过一非磁性层相对于所述存储层放置，其中，通过沿层压方向施加电流来改变所述存储层的磁化方向，从而将所述信息记录在所述存储层中，以及其中，在所述磁化固定层中或在所述磁化固定层与所述存储层相对的相对侧上形成分别具有沿层压方向的磁化分量和具有沿互不相同方向的磁化的多个磁化区域。
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