[发明专利]碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法无效
申请号: | 200810004331.7 | 申请日: | 2008-01-22 |
公开(公告)号: | CN101293629A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 孟梦;张佳璐;郭奥;刘佳;傅云义;黄如;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;C01B31/02;C30B29/60;C30B30/02 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法,该方法包括:制备芯片,该芯片包括一对平行电极和平行电极之间的若干个浮点电极;将碳纳米管和/或纳米线溶于有机溶剂中,并进行超声分散,制得碳纳米管和/或纳米线的悬浮液;将芯片浸没于所述悬浮液中,在上述电极上施加交流电或直流电;取出芯片,吹干,在浮点电极之间获得两根或多根碳纳米管和/或纳米线的的分叉结构。本发明利用交变电场或交变的感应电场获得Y或T形的分叉结构,其可控性好、方法简单、效率高;同时,由于所获的分叉结构与电极相连,可以在同一芯片上原位实现分叉结器件或结器件阵列,为纳电子器件提供新的集成方法。 | ||
搜索关键词: | 纳米 分叉 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法,其步骤包括:1)制备芯片,该芯片包括一对平行电极和平行电极之间的若干个浮点电极;2)将碳纳米管和/或纳米线溶于有机溶剂中,并进行超声分散,制得碳纳米管和/或纳米线的悬浮液;3)将芯片浸没于所述悬浮液中,在上述电极上施加交流电或直流电;4)取出芯片,吹干,在浮点电极之间获得两根或多根碳纳米管和/或纳米线的的分叉结构。
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