[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 200810004810.9 | 申请日： | 2008-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101252019A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 山本安卫;白滨政则;县泰宏;川崎利昭 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;G11C16/08;H01L27/115;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可按标准CMOS工艺制造的非易失性半导体存储器件，提供一种节省存储单元面积的技术。在通过在浮置栅上蓄积电荷而存储数据的非易失性半导体存储器件中，按阵列状排列包含作为读出器件的第一MOS晶体管(38、39)、由作为电容耦合器件的第一电容器(47、48)和作为擦除器件的第二电容器(49、50)构成的位单元(62、63)、以及具有第二MOS晶体管(28、29)和第三MOS晶体管(34、35)的译码器件(61)的存储单元(60)。能使可进行每个位的选择擦除的非易失性存储器阵列化，从而可以大幅度地缩小磁心面积。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于：呈阵列状排列有多个由读出器件、擦除器件和译码器件构成的存储单元，其中，由各个MOS晶体管构成的上述读出器件和上述擦除器件相互连接，上述读出器件和上述擦除器件的栅极被共用，由行选择信号和列选择信号控制的上述译码器件的输出端与上述擦除器件相连接。
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