[发明专利]存储器与抑制存储器漏电流能量损耗的方法无效
| 申请号： | 200810004868.3 | 申请日： | 2008-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101504863A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 林文斌;许世玄;林烈萩;江培嘉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器，包括一电流发生器、一位线、一存储器单元、以及一漏电流抑制电路。该电流发生器负责产生一控制电流。该位线耦接该电流发生器与该存储器单元，由一位线选取器控制其导通状态。该存储器单元包括串接的一晶体管与一存储元件。该晶体管的导通状态由一字线上的信号控制。该晶体管导通时，该控制电流负责决定该存储元件的组态。该漏电流抑制电路将于该存储器不作用时令该晶体管上的一电压趋近零。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 抑制 漏电 能量 损耗 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种存储器，包括：一电流发生器，产生一控制电流；一位线，其导通状态由一位线选取器控制，耦接该电流发生器；一存储器单元，耦接该位线，其中包括串接的一晶体管与一存储元件；该晶体管的导通状态由一字线上的信号控制；该存储元件的组态由该控制电流控制；以及一漏电流抑制电路，于该存储器不作用时令该晶体管上的一电压趋近零。
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