[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：形成设置有浮栅、中间绝缘膜、及控制栅的闪存单元；形成第一杂质扩散区和第二杂质扩散区；将硅衬底和浮栅的表面热氧化；经由光致抗蚀剂图案的窗口蚀刻部分区域中的隧道绝缘膜；在部分区域中的第一杂质扩散区上形成金属硅化物层；形成覆盖闪存单元的层间绝缘膜；以及在层间绝缘膜的第一孔中形成连接到金属硅化物层的导电插塞。本发明能够防止器件隔离绝缘膜在蚀刻热绝缘膜时被蚀刻。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一杂质扩散区和第二杂质扩散区，彼此间隔地形成于所述半导体衬底的表面层中；热氧化膜，至少形成于所述第一杂质扩散区和所述第二杂质扩散区上以及位于所述第一杂质扩散区和第二杂质扩散区之间的所述半导体衬底上；闪存单元，是通过在所述热氧化膜上依次叠置由第一导电膜形成的浮栅、中间绝缘膜、由第二导电膜形成的控制栅而形成，并且所述闪存单元将所述第一杂质扩散区和所述第二杂质扩散区用作源/漏区；层间绝缘膜，覆盖所述闪存单元，并且设置有位于所述第一杂质扩散区之上的第一孔；以及第一导电插塞，形成于所述第一孔中，其中，从所述第一杂质扩散区的部分区域除去所述热氧化膜；在所述第一杂质扩散区的所述部分区域上形成有金属硅化物膜，并且所述金属硅化物层与所述导电插塞连接。