[发明专利]用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的分裂栅有效
| 申请号： | 200810005022.1 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101236989A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 戴嵩山;胡永中 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开了一个具有沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元。所述的具有沟槽的MOSFET单元包括一个从半导体基底顶表面打开的沟槽栅极，所述的半导体基底被一个源极区域所环绕，所述的源极区域包含在一个主体区域中，所述的主体区域位于一个漏极区域之上，所述的漏极区域设置在所述基底的底表面。所述的沟槽栅极进一步包括至少两个相互绝缘的沟槽填充区域，每个沟槽填充区域填充有具有不同功函数的材料。在一个实施例中，所述的沟槽栅极包括一个位于所述沟槽栅极底部的多晶硅区域，以及一个位于所述沟槽栅极顶部的金属区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 极高 密度 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 栅极 阻抗 采用 不同 材料 函数 | ||
【主权项】：
1、一种具有沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)装置包括一个被源极区域环绕的沟槽栅极，所述的源极区域包含在一个主体区域中，所述的主体区域在一个漏极区域的上方，所述的漏极区域设置在一个基底的底表面上，其特征在于，所述的MOSFET单元进一步包括：所述的沟槽栅极进一步包括至少两个相互绝缘的沟槽填充区域，每个沟槽填充区域填充有具有不同功函数的材料。
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