[发明专利]含有掺杂剂的磷化铟晶体及其制造方法有效
| 申请号： | 200810005226.5 | 申请日： | 2004-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101307500A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 川瀬智博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00;C30B11/14 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了得到晶片上性能均匀和稳定且使用寿命长的化合物半导体器件，本发明提供一种含有掺杂剂的磷化铟晶体及其制造方法，其中磷化铟晶体的位错密度低，掺杂剂浓度在晶片上以及在深度方向上具有优异的均匀性。为了使晶体生长方向沿<100>取向，将相对于结晶体具有指定横截面积比例的晶种置于生长容器的下端。然后将装有晶种、磷化铟原料、掺杂剂和氧化硼的生长容器置于晶体生长室内。并将温度升高到等于或大于磷化铟的熔点。当氧化硼、磷化铟原料和掺杂剂熔化后，降低生长容器的温度，以便得到位错密度低以及在晶片上和深度方向上掺杂剂浓度均匀的磷化铟晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 掺杂 磷化 晶体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含有掺杂剂的磷化铟晶体，包括：生长方向是<100>取向；在垂直于所述生长方向的(100)面内的平均位错密度值小于5000cm-2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810005226.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成像装置、缺陷像素校正装置、装置中的处理方法和程序
- 下一篇：保护器
