[发明专利]半导体装置及其应用有效
| 申请号： | 200810005300.3 | 申请日： | 2008-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101281928A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 刘人诚;杨敦年;洪志明;王文德;庄俊杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L27/146;H01L31/08;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体装置及其应用。此半导体装置包括半导体基材、形成于半导体基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于其至少包括：一半导体基材；一第一磊晶半导体层，位在该半导体基材上，且具有一第一型掺质及一第一掺质浓度；一第二磊晶半导体层，位在该第一磊晶半导体层上，且具有该第一型掺质及一第二掺质浓度，其中该第二掺质浓度低于该第一掺质浓度；一第三磊晶半导体层，位在该第二磊晶半导体层上，且具有该第一型掺质及一第三掺质浓度，其中该第三掺质浓度低于该第二掺质浓度；以及一金属氧化半导体晶体管，形成于该第三磊晶半导体层上。
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