[发明专利]热辅助磁性存储单元结构以及磁性随机存取存储器无效
| 申请号： | 200810005352.0 | 申请日： | 2008-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101499513A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 陈威全 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种热辅助磁性存储单元结构，包括依序叠置的磁性固定层、绝缘层、磁性自由层、垂直磁性层、以及加热材料层。磁性自由层有一水平磁化向量。垂直磁性层在第一温度下有一垂直磁化向量，垂直耦合于磁性自由层的水平磁化向量。垂直磁性层在第二温度下是顺磁状态。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 磁性 存储 单元 结构 以及 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1. 一种热辅助磁性存储单元结构，包括：磁性固定层，在一反铁磁层上；绝缘层，在该磁性固定层上；磁性自由层，在该绝缘层上，包含有一水平磁化向量；垂直磁性层，在该磁性自由层上，在第一温度下有一垂直磁化向量，垂直耦合于该磁性自由层的该水平磁化向量，其中该垂直磁性层在第二温度下是顺磁状态；以及加热材料层，在该垂直磁性层上。
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