[发明专利]形成介电结构的方法以及半导体结构无效
| 申请号： | 200810005454.2 | 申请日： | 2008-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101241857A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈奕伊;蔡方文;吴振诚;包天一;郑双铭;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低介电系数介电层上；以及同时熟化低介电系数介电层及低介电系数帽盖层，以移除第一及第二成孔剂，使产生第一孔隙度于低介电系数介电层中，及第二孔隙度于低介电系数帽盖层中。第二孔隙度优选地小于第一孔隙度。优选地，低介电系数介电层及低介电系数帽盖层包含一组共同的前趋物及成孔剂，且原位进行。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 结构 方法 以及 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种形成介电结构的方法，该方法包含：提供基材；沉积第一低介电系数介电层于该基材上，该第一低介电系数介电层包含第一成孔剂；沉积第二低介电系数介电层于该第一低介电系数介电层上，该第二低介电系数介电层包含第二成孔剂；以及同时熟化该第一及该第二低介电系数介电层，以移除该第一及该第二成孔剂，且产生第一孔隙度于该第一低介电系数介电层中，及第二孔隙度于该第二低介电系数介电层中，其中该第二孔隙度小于该第一孔隙度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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