[发明专利]一种具有多能阶的硅基薄膜太阳能电池

摘要

本发明公开了一种具有多能阶的硅基薄膜太阳能电池，包括：一基板，该基板的一面为照光面；一透明导电膜，形成于该基板上，其用于取出电能与提升光电转换的效率；一P型半导体层，形成于该透明导电膜上，用于产生空穴；一本质型半导体层，形成于该P型半导体层上方，用于提高太阳电池的电特性；一N型半导体层，形成于该本质型半导体层上方，用于产生电子；以及一电极，形成于该N型半导体层上方，用以取出电能与提升光电转换的效率；该多能阶的硅基薄膜太阳能电池是利用不同材料的薄膜以提高其光波长的吸收范围，并增加太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1. 一种具有多能阶的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，包含：一基板，该基板的一面为照光面；一透明导电膜，形成于该基板上，其用于取出电能与提升光电转换的效率；一P型半导体层，形成于该透明导电膜上，用于产生空穴；一本质型半导体层，形成于该P型半导体层上方，用于提高太阳电池的电特性；一N型半导体层，形成于该本质型半导体层上方，用于产生电子；以及一电极，形成于该N型半导体层上方，用以取出电能与提升光电转换的效率；其中，该P型半导体层的能隙大于该本质型半导体层的能隙，而该本质型半导体层的能隙则大于该N型半导体层的能隙；且该本质型(i型)半导体层选自于非晶硅锗、微晶硅、微晶硅锗、多晶硅与多晶硅锗所组成族群中的任何一种材料。