[发明专利]用于控制流到处理腔室的气流的方法和装置有效
申请号: | 200810006332.5 | 申请日: | 2008-02-26 |
公开(公告)号: | CN101256937A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 埃兹拉·罗伯特·古德;理查德·查尔斯·福韦尔;詹姆斯·帕特里克·克鲁斯;贾里德·阿曼德·李;布拉诺·杰夫林;小道格拉斯·亚瑟·布赫伯格;马丁·杰弗里·萨利纳斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/455;C30B25/14;H01J37/08;H01J37/317;H01J37/32;F17D1/04;F17D3/01;G05D7/06 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种用于将气体输送到半导体处理系统的方法和装置。在一个实施方式中,用于将气体输送到半导体处理系统的装置包括具有入口和出口的多个气体输入和输出管道。连接管道耦接各对气体输入和气体输出管道。连接阀配置为控制经过各个连接管道的流量。气体质量流量控制器配置为控制流入各个入口的流量。在另一实施方式中,一种方法包括:提供具有至少多个入口的歧管,其中该多个入口可选择性耦接到多个出口其中至少之一;在处理之前或到校准管路之前,流动一种或多种气体经过歧管到旁通处理腔室的真空环境;以及在衬底处理期间流动一种或多种气体进入处理腔室。 | ||
搜索关键词: | 用于 控制 处理 气流 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种用于将气体输送到半导体处理系统的装置,包含:多个气体输入管道,其中每个输入管道具有入口;多个气体输出管道,其中每个输出管道具有出口,多个出口中至少第一出口耦接到设备排气装置,并且多个出口中至少第二出口耦接到所述处理系统;多个连接管道,每个连接管道耦接各自一对气体输入管道和气体输出管道;多个连接阀,每个连接阀配置为控制经过各个连接管道的流量;以及多个气体质量流量控制器,每个气体质量流量控制器配置为控制进入各个入口的流量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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