[发明专利]静态随机存取存储器元件有效
申请号: | 200810006998.0 | 申请日: | 2008-01-28 |
公开(公告)号: | CN101236969A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 黄怀莹 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L23/528;H01L29/41;G11C11/41 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种静态随机存取存储器元件,至少包括一第一反相器;一第二反相器与第一反相器交互耦合;一第一通过栅电晶体,连接第一反相器至一位元线;以及一第二通过栅电晶体,连接第二反相器至一互补位元线;其中,第一通过栅电晶体或第二通过栅电晶体具有一布局结构,其栅极导电层与其源极接触窗间的一第一距离实质不同于其栅极导电层与其漏极接触窗间的一第二距离,以减少因栅极导电层与源极接触窗未对齐所引起的漏电流。 | ||
搜索关键词: | 静态 随机存取存储器 元件 | ||
【主权项】:
1.一种静态随机存取存储器元件,其特征在于至少包括:一第一反相器;一第二反相器与该第一反相器交互耦合;一第一通过栅电晶体,连接该第一反相器至一位元线;以及一第二通过栅电晶体,连接该第二反相器至一互补位元线;其中,该第一通过栅电晶体或该第二通过栅电晶体具有一布局结构,其栅极导电层与其源极接触窗间的一第一距离不同于其栅极导电层与其漏极接触窗间的一第二距离,以增进该静态随机存取存储器元件的稳定性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的