[发明专利]形成半导体器件的微图案的方法

摘要

形成半导体器件微图案的方法，包括：在衬底上形成蚀刻目标层，在蚀刻目标层上形成硬掩模层，在蚀刻目标层上形成第一辅助图案。第一辅助图案限定多个互相间隔开的结构。将硅注入第一辅助图案以形成硅烷化第一辅助图案。在硬掩模层和硅烷化第一辅助图案上形成限定两相邻硅烷化第一辅助图案之间间隔的绝缘层。在两个硅烷化第一辅助图案之间限定的间隔处的绝缘层上形成第二辅助图案。蚀刻绝缘层以移除在硅烷化第一辅助图案与第二辅助图案之间布置的绝缘层部分，同时不移除在第二辅助图案下方布置的绝缘层部分。利用硅烷化第一辅助图案与第二辅助图案作为蚀刻掩模，蚀刻硬掩模层以限定硬掩模图案。利用硬掩模图案蚀刻蚀刻目标层，以获得目标微图案。

主权项

1.一种形成半导体器件的微图案的方法，所述方法包括：在衬底上方形成蚀刻目标层，在所述蚀刻目标层上方形成硬掩模层，和在所述蚀刻目标层上方形成第一辅助图案，所述第一辅助图案限定多个彼此互相间隔开的结构；将硅注入所述第一辅助图案以形成硅烷化第一辅助图案；在所述硬掩模层和所述硅烷化第一辅助图案上方形成绝缘层，所述绝缘层限定两个相邻的硅烷化第一辅助图案之间的间隔；在所述两个硅烷化第一辅助图案之间所限定的间隔处的所述绝缘层上方形成第二辅助图案；蚀刻所述绝缘层以移除在所述硅烷化第一辅助图案与所述第二辅助图案之间设置的绝缘层部分，同时不移除在所述第二辅助图案下方设置的绝缘层部分；利用所述硅烷化第一辅助图案和所述第二辅助图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述硬掩模层以限定硬掩模图案；和利用所述硬掩模图案蚀刻所述蚀刻目标层，以获得目标微图案。