[发明专利]非易失性电子存储器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200810007252.1 | 申请日： | 2008-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101252148A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 金相植;尹昌俊;郑东英;廉东赫 | 申请（专利权）人： | 高丽大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;H01L29/40;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性(nonvolatile memory)电子器件(electronic device)及其制作方法，使纳米粒子(nanoparticle)吸附到纳米线表面上的穿隧层上，在该纳米线(nanowire)表面沉积有穿隧层(Tunneling layer)。而且，通过构成使用为电荷迁移通道(charge transport channel)的半导体(semiconductor)纳米线和使用为电荷陷入层(charge trapping layer)半导体纳米粒子，使得经由纳米线转移的电荷通过栅压(gate)穿隧至纳米粒子上，再根据栅压变化从纳米粒子穿隧至纳米线上。本发明涉及根据如上所述的纳米线和纳米粒子的特点采用能够以低电压运行并且能够加快运行速度的纳米线和纳米粒子的非易失性电子存储器件及其制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 电子 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件，其特征是，包括：源极与漏极，设置在基片上方；半导体纳米线合成体，使上述源极与漏极悬浮于上述基片上方或者吸附在上述基片上；栅电极，包覆上述纳米线合成体，设置在上述源极与漏极之间的基片上方。
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