[发明专利]硬磁相与软磁相合成磁体及制备方法有效
申请号: | 200810008053.2 | 申请日: | 2008-03-05 |
公开(公告)号: | CN101299370A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 张雪峰;徐来自;牛焕忠;武晓霞 | 申请(专利权)人: | 内蒙古科技大学 |
主分类号: | H01F7/00 | 分类号: | H01F7/00;H01F1/06;H01F1/20;H01F41/02;B22F3/00 |
代理公司: | 包头市专利事务所 | 代理人: | 庄英菊 |
地址: | 014010内蒙古*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明涉及一种硬磁相与软磁相合成磁体及其制备方法,属于磁体材料及其制备技术领域。特点是:硬磁相弥散在软磁母相中,其特征是:软磁相的含量为5wt%-70wt%,其余为硬磁相,硬磁相的晶粒度为:1.5-10微米,软磁相的晶粒度为:10-100微米,微米晶粒硬磁相之间的距离为10-100纳米;微米晶粒软磁母相与弥散在其中的微米晶粒硬磁相发生交换耦合。本发明软磁相的含量可以接近50%,从而可把磁能积的理论值提得很高;硬磁弥散相被软磁母相包裹,从而使材料的抗氧化性能、机械性能得到改善,甚至有可能具有机械加工性。稀土含量较低,有利于降低磁体成本。 | ||
搜索关键词: | 相与 相合 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、硬磁相与软磁相合成磁体,由硬磁相、软磁相组成,硬磁相弥散在软磁母相中,其特征是:软磁相的含量为5wt%-70wt%,其余为硬磁相,硬磁相的晶粒度为:1.5-10微米,软磁相的晶粒度为:10-100微米,微米晶粒硬磁相之间的距离为10-100纳米;微米晶粒软磁母相与弥散在其中的微米晶粒硬磁相发生交换耦合。
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