[发明专利]再溅射铜籽晶层无效
| 申请号： | 200810008116.4 | 申请日： | 2008-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101240413A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 唐先民;阿维德·苏尼达瑞杰恩;丹尼尔·柳伯恩;罗千;龚则敬;阿纳塔·苏比玛尼;仲华;傅新宇;王荣钧;炯·曹;吉克·于;约翰·福斯特;帕布拉姆·古帕拉加 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种综合的铜沉积工艺，特别适用于在电化学镀铜之前，在狭窄的通孔部件中形成铜籽晶层，该工艺包括铜溅射沉积(160)和其后的对已沉积的铜的溅射蚀刻(162)步骤的至少一个循环，优选在相同的溅射腔室中执行。这种沉积是在促进高铜电离分数和强晶片偏置的条件下执行的，从而将铜离子牵引进通孔部件中。该蚀刻可应用氩离子完成，优选通过腔室四周的RF线圈电感激发，或通过形成于高靶功率以及强磁电管或通过应用RF线圈产生的铜离子完成。可执行两次或更多的沉积/蚀刻循环。在高铜离子化和低晶片偏置的条件下可执行最终的闪沉积(168)。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 籽晶 | ||
【主权项】：
1.一种用于在电介质层中的孔中形成铜金属化的铜沉积工艺，其在具有铜靶和支撑待执行溅射工艺的衬底的基座电极的磁电管溅射腔室中执行，该工艺包括以下步骤：第一沉积步骤，其包括向铜靶提供第一靶级别的DC功率，以激发腔室中的第一等离子体，从而溅射来自靶的铜，并应用第一偏置级别的RF功率电偏置基座电极以在衬底上沉积铜；以及后续的蚀刻步骤，其在不同的工艺条件下执行，以激发腔室中的第二等离子体，并应用第二偏置级别的RF功率电偏置基座，从而应用离子溅射蚀刻沉积在所述衬底上的铜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810008116.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
