[发明专利]基片背部加工残渣的去除无效
| 申请号： | 200810008213.3 | 申请日： | 2008-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101241841A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 杰勒多·A·德尔加蒂诺;因德雷杰特·拉海里;蒂哈－廷·苏;赛－尤安·布赖恩·希尔;阿肖克·辛哈 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/30;H01L21/3105;H01L21/67;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在包括具有用于接收基片的接收表面的基片支架的加工室中加工基片，以便在室内暴露基片前表面。将激发加工气体用于加工基片前表面。通过将基片支架的接收表面之上的基片升高到升起物质并且将基片背部表面暴露于激发清洗气体清洗基片背部表面的外围边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 背部 加工 残渣 去除 | ||
【主权项】：
1.一种在包含具有接收表面的基片支架的加工室中加工基片的方法，该方法包括：(a)将基片放置在加工室中的基片支架的接收表面上；(b)将基片的前表面暴露于用于加工基片前表面的激发加工气体；以及(c)通过下列步骤清洗基片背部表面的外围边缘：(1)将基片支架的接收表面之上的基片升高到升起位置；以及(2)在将基片保持在该升起位置的同时，将基片背部表面暴露于用于清洗背部表面的激发清洗气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
